Корпорация Samsung заявила, что уже разработала серверную оперативную память, основанную на технологии HKMG. Отмечается, что она предусматривает непосредственное применение диэлектриков в ходе производства ОЗУ.
Есть информация, что DDR5 получит объем 512 Гб. Дополнительно будет оснащаться восьмислойными чипами памяти. Источник подчеркнул, что они, в свою очередь, будут обладать памятью 16 Гб. Всего чипов в разработке насчитывается 32 штуки.
Детальной информации о технических характеристиках, в том числе о скорости работы девайса пока не предоставляют ввиду отсутствия прав на распространение данных о важных встроенных особенностях.
