Как стало известно из сетевых источников, компания Samsung планирует в 2022 году приступить к разработке 3-нанометрового техпроцесса. Для этого необходим транзистор нового поколения.
На данный момент Samsung разрабатывает технологию под названием Gate-All-Around FET (GAAFET), которая обеспечит эффективное управление каналом и убережет от утечки при сокращении размеров элементов. Для достижения 3 нм необходима разработка Multi Bridge Channel FET или MBCFET.
MCBFET, по расчетам Samsung, вдвое уменьшит уровень энергопотребления и повысит скорость на 30%. Площадь с транзистором сократится на 45%. Особенностью MCBFET является возможность укладки транзисторов друг на друга с целью уменьшения места по сравнению с обычным FinFET.
