В ближайшее время Samsung выпустит ускоренную память HBM2E

Несмотря на то, что память типа HBM2E пока не представлена в конкретных продуктах, SK Hynix и Samsung уже устроили соревнования по скоростям. Южнокорейский бренд обещает начать выпуск памяти со скоростью передачи данных 538 Гбайт/с.

В своих релизах компания Samsung относит этот тип памяти к третьему поколению. В ближайшие полгода разработчики из Южной Кореи планируют наладить серийный выпуск микросхем памяти HBM2E с использованием техпроцесса 10-нм класса.

Как отмечено в пресс-релизе Samsung, память типа HBM2E будет передавать информацию со скоростью 538 Гбайт/с (4,2 Гбит/с на контакт). К слову, это выше, чем прошлогодние показатели SK Hynix (460 Гбайт/с).

загрузка...

Коротко

Показать все новости