Исследователи из НИУ «МИЭТ» совместно с коллегами из Италии и Германии разработали новую технологию получения двумерного теллурида галлия. Это важный материал для современной электроники.
По мнению специалистов, на данный момент большой интерес для науки представляют так называемые двумерные материалы. Они обладают уникальными свойствами и имеют слоистую структуру. При этом создание таких материалов сопровождается множеством сложностей. Одной из них является возникновение дефектов на стыке формируемого материала и подложки. Они связаны со структурными несоответствиями между кристаллическими решетками.
Международная команда экспертов решила эту проблему. Специалисты предложили новый метод выращивания 2D-кристаллов теллурида галлия на кремниевой подложке.
