Физиками была доказана возможность перемещения дефектов кристаллической решетки при низкой температуре.
Движения, которые нарушают классические законы, были зафиксированы во время облучения вольфрама потоком электронов. Темп диффузии, который был изменен, оказался выше, чем следует из закона Аррениуса. Специалисты наблюдали за положением межузельных атомов, занимающих промежуточное расположение сравнительно формирующих кристаллическую решетку при низких температурах. Активация была осуществлена потоками электронов.
Полученные результаты могут был полезными во время создания устройств, которые устойчивы к радиации, и при разработке новых методов обработки материалов.
