Отечественные физики испытали новейшие материалы для нейрокомпьютеров, созданные на основе мемристоров. Новшество может стать базой для изготовления мемкомпьютинга, способного обрабатывать данные оперативной памяти и жесткого диска, как это происходит с нейронами мозга.
Сообщается, что физики микроэлектроники создали материалы для реализации биполярного эффекта резистивного переключения.
Инновация дает путь для воплощения двух метастабильных состояний – высокорезистивного и низкорезистивного. Материал определяется особенностями физического механизма переключения.
Ранее сообщалось, что томские ученые разработали цемент повышенной прочности.
