В МФТИ разработали новую технологию сегнетоэлектрической памяти, способной выдерживать до 100 миллионов циклов перезаписи. Это в тысячи раз больше, чем у обычных флеш-накопителей, при этом данные сохраняются даже без питания.
Основой стали тонкие пленки на базе оксида гафния-циркония. Такие материалы позволяют создавать компактные и энергоэффективные чипы. Главной проблемой оставались токи утечки, возникающие на границах кристаллических зерен, однако ученым удалось найти способы их контролировать.
В ходе экспериментов исследователи смоделировали работу памяти и создали систему, способную прогнозировать ее срок службы.
Разработка может применяться в самых разных устройствах — от бытовой электроники до медицинских приборов и систем искусственного интеллекта.