Известный разработчик Hynix презентовал свои новые микросхемы для модулей памяти DDR5. Они получают рекордную плотность, которая составляет 24 Гбит.
Как пишет источник, данные чипы позволят достичь еще большей производительности. Приблизительно прирост составит 33%. Также следует отметить, что готовый модуль оперативной памяти с этими чипами будет потреблять на 25% меньше энергии.
Самое главное новшество, которое можно сделать для оперативной памяти — это возможность сделать ОЗУ с объемами от 48 до 96 Гб. Также нужно подчеркнуть, что девайс будет построен с применением EUV-литографии. К тому же в производстве принимает участие и четвертое поколение 10-нанометрового техпроцесса.
