Производитель Toshiba сегодня сообщил, что запускает массовое производство транзистора ST2000GXH32.
Источник сообщает, что этот продукт будет оснащен затвором IEGT. Сам девайс помещен в обжимной корпус, размер которого соответствует 168 мм. Данная новинка характеризуется номинальным напряжением коллектора-эмиттера 4500 В. При этом номинальный его ток будет равен 2000 А.
В конструкции нового транзистора будет присутствовать высокоскоростной диод, который недавно был разработан. Он, собственно, предназначен для преобразования колебаний высокого напряжения. Нужно отметить, что по сравнению с предшественником потери переключения будут уменьшены на 30%.
