Научные сотрудники МФТИ, Сколтеха и Объединенного института высоких температур РАН провели исследование, направленное на определение влияния дефектов в графене на перенос электронов на границе фаз графен-растворов.
Известно, что электрохимические свойства графена очень зависят от его химической структуры и электронных свойств, которые оказывают существенное влияние на кинетику окислительно-восстановительных процессов. Недавно проведенные эксперименты помогли обнаружить возможность ускорения переноса на структурных дефектах, таких как вакансии, графеновые края, примесные гетероатомы, кислородосодержащие функциональные группы. Команда российских ученых в рамках нового исследования изучила кинетику переноса электрона на поверхности графена, содержащего дефекты.
Выяснилось, что привнесение дефектов в идеальный графеновый лист может приводить к росту плотности электронных состояний вблизи уровня ферми и катализировать перенос электрона.
